本网讯（江西日报宋茜）“我来自革命老区江西，在南昌大学工作，从事发光二极管研究开发工作。我有一个追求：‘多发光、少发热’，其中有两层含义：一是发光二极管，发光和发热是成反比的，要想多发光就必须少发热；二是做人要多做实事，少头脑发热。”这是来自江西的党的十九大代表、南昌大学副校长江风益参加十九大新闻中心集体采访时的简洁而幽默的开场白。 　　

　　10月20日晚，十九大新闻中心举办第四场集体采访活动，江风益应邀出席，与其他4位来自科技界的代表就“实施创新驱动发展战略”话题共同接受中外媒体记者采访。

　　按照十九大报告确定的目标，从现在到进入创新型国家行列，只有不到3年的时间，能实现吗？

　　回答中央电视台记者提问时，江风益认为，如果从纯基础研究开始做技术创新工作，3年不可能。“但如果以企业为主体、市场为导向，进行产学研深度融合，3年是可以弯道超车，实现新技术、新应用驱动产业发展的。”

　　“我们都知道您是LED领域的顶尖专家，曾获得国家技术发明奖一等奖，能否介绍我国LED产业发展现状以及在国际上的整体竞争力？”中国日报记者问道。

　　江风益说，LED是一种节能环保的新光源，在我国无论是技术还是产业，都已进入世界先进行列，尤其是黄光发光二极管领先世界。我国已是世界上最大的LED生产国、消费国和出口国，去年生产规模已突破5000亿元，节约用电1400亿度，减少二氧化碳排放达到1.2亿吨，为节能减排作出了贡献。 

　　经过三千多次实验，江风益带领团队研发的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目斩获2015年国家技术发明奖的唯一一等奖，这一发明在国际上率先实现了硅衬底LED产业化，开辟了国际LED照明技术第三条路线，助推我国LED产业向中高端发展。 

　　如今，在南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心的实验室内，拥有LED上中下游配套的一流研发条件。LED照明灯内，整齐排列着颗粒大小的芯片，这就是具有世界领先水平的硅衬底黄光LED芯片。 

　　这一芯片，使硅衬底黄光LED电光转换功率效率达到21.5%，远高于国外公开报道的最高水平（9.63%），使我国LED技术处于“局部领跑”地位。 

　　我国LED技术和产业为何发展这么快？ 

　　江风益认为，这得益于国家集中力量办大事的优越性。“我国制定了相关的发展战略，如技术跟踪和创新同时布局，以应用促发展，以下游的应用来推动上游和中游发展，同时发挥中央各部委和地方协同的优势，协力推进。这是能发展这么快的重要原因。” 从他自信的回答中，记者得出一个强烈而深刻的印象：革命老区江西也能搞出世界一流的科研成果，江西正依靠创新闯出发展的新天地。