2月12日，中国科学院在北京举行新闻发布会，正式公布2026年度陈嘉庚科学奖与陈嘉庚青年科学奖获奖名单。南昌大学江风益教授团队项目“V缺陷三维PN结及应用”荣获2026年度陈嘉庚信息技术科学奖。

江风益教授团队深耕硅基氮化镓LED，发现大V缺陷增强空穴注入和提高量子阱质量等有益性，打破“位错缺陷越少越好/越小越好”传统认知；提出V缺陷三维PN结理论方法，使PN结界面由二维发展到三维；攻克黄光LED光效很低、氮化镓红光LED光效很低、蓝绿光LED电注入效率较低等难题；开拓纯芯片照明技术路线；实现批量生产和应用。理论方法被推广到蓝宝石基。推动和推进具有重大节能减排和经济价值的半导体照明显示国际科技产业发展。

据了解，该项目主要完成人为江风益教授、张建立研究员和吴小明研究员。

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审校：许航、毛梓人、蔡佳骏、胡耀匀、吴雨虹