矢志自主创新,实现科技自立自强。总书记的殷殷嘱托和亲切关怀,化作中心科研工作者踔厉奋发、砥砺前行的强大动力。六年来,江风益率领团队朝着总书记指明的方向,奋勇前进,攀登了一座又一座科技高峰,实现一项又一项技术突破。

2016年1月8日,江风益团队研发的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目获得国家技术发明奖中唯一的一等奖
团队自主研制成功生产型MOCVD设备,实现了LED高端装备设计和制造技术自主可控,打破了发达国家技术垄断,并建起了世界一流水准的研究中心。成功研制出发光效率远高于国外最高水平的黄光LED芯片,解决了困扰该领域50余年的世界性难题,技术水平在世界遥遥领先,获得国际同行的高度肯定。在全球首次推出不使用稀土荧光粉的纯LED光源,开辟了一条全新的技术路径,成果在国内外推广应用……一项项技术优势正在不断转化为产业优势,由技术制高点向市场制高点迈进,江风益也于2019年当选中科院院士,获得全球半导体照明突出贡献奖。
因为在黄光LED技术研究上作出了突出贡献,2018年,张建立从助理研究员越过副研究员直接晋升为研究员。设立学科“特区”、职称评审破“五唯”,给广大科学家和科技工作者搭建了施展才华的舞台,研究中心里,像张建立这样的科研人员相继获批晋升。科研人员的积极性被大大激发,科技创新成果源源不断涌现出来。

2019年,江风益教授当选中国科学院院士
“这六年,在国际竞争激烈的LED照明领域,从最初的并跑到黄光LED技术全球领跑,我们已经牢牢将核心技术掌握在自己手里。”采访即将结束时,江风益骄傲地说。
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编 辑:张顺凯
责任编辑:韩周松